哪个公司发明了单晶钢石半导体

...石基台及其制作方式专利,能够提供一种金刚石基台,达到电子级单晶...公司申请一项名为“金刚石基台及其制作方式”的专利,公开号CN 118792734 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了金刚石基台及其制作方式,涉及半导体器件技术领域,所述方法包括以下步骤:S1,准备晶种,选用高温高压法或者微波化学气相沉积生长法生长的单晶金刚石小发猫。

北京大学申请金刚基氮化物半导体异质结构制备方法专利,能够得到...金融界2024年6月26日消息,天眼查知识产权信息显示,北京大学申请一项名为“一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法“公开号CN202410671826.4,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二后面会介绍。

∪▂∪

⊙ω⊙

杭州镓仁半导体申请垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置及方法专利,...金融界2024年10月26日消息,国家知识产权局信息显示,杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置及方法”的等会说。 本发明通过改变坩埚内部氧化镓熔液的温度梯度方向,实现氧化镓单晶从上向下生长,在不改变坩埚的形状的条件下,较容易的获得整块的氧化镓等会说。

≥ω≤

原创文章,作者:上海博钛尔科技有限公司,如若转载,请注明出处:http://ehjrti.cn/2altdcgu.html

发表评论

登录后才能评论